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首台国产12英寸PECVD设备诞生

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本文摘要:中国化工机械网讯:沈阳拓荆科技有限公司分担的国家根本性科技专项项目——90~65纳米等离子体强化化学气相沉积(PECVD)设备的研发与产业化研制日前获得成功。这是我国自律研发研制的首台12英寸PECVD设备,标志着我国在IC装备国产化方面获得了重大突破。 目前,该设备已完成出厂前的工艺测试和可靠性测试,各项性能指标皆超过设计拒绝。 据报,该设备还将在我国*大的芯片代工企业——中芯国际展开在线测试。

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中国化工机械网讯:沈阳拓荆科技有限公司分担的国家根本性科技专项项目——90~65纳米等离子体强化化学气相沉积(PECVD)设备的研发与产业化研制日前获得成功。这是我国自律研发研制的首台12英寸PECVD设备,标志着我国在IC装备国产化方面获得了重大突破。  目前,该设备已完成出厂前的工艺测试和可靠性测试,各项性能指标皆超过设计拒绝。

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据报,该设备还将在我国*大的芯片代工企业——中芯国际展开在线测试。  12英寸PECVD设备样机的成功出厂,标志着我国在集成电路高端设备研究和生产领域超过了国际*,使我国IC薄膜设备生产水平与国际IC制造业主流技术水平维持实时,完备了国内半导体最重要装备的产业链,超越了国外产品的技术和市场独占。  化学气相沉积是反应物质在气态条件下再次发生化学反应、分解固态物质沉积在冷却的固态基体表面、进而制得液体材料的工艺,常用于生产薄膜如多晶硅、非晶硅、氧化硅等。

化学气相沉积工艺主要有常压、高压、超高真空和等离子强化法等,其中等离子体强化化学气相沉积技术是借助辉光静电等离子体使所含薄膜构成的气态物质再次发生化学反应,从而构建薄膜材料生长的一种新的制取技术。  据理解,享有几乎自律知识产权的12英寸PECVD设备样机的顺利研发,奠定了沈阳在全国集成电路装备研发与生产领域同北京、上海三足鼎立的地位,将推展辽沈地区IC装备制造产业化发展。


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